（原标题：三星电子、SK海力士hongkongdoll porn，本事不对！）

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三星和SK海力士在EUV光刻本事鸿沟分谈扬镳

三星专注于晋升良率，而SK海力士则专注于遥远本事特出。

韩国两泰半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻本事上接管了不同的策略，引起了业界的高度宥恕。这一发展赶巧两家公司齐接力于于增强其在高度动态和竞争热烈的半导体市集会的竞争力之际。

行为年终组织重组的一部分，三星电子在天下制造和基础要领总辖下诞生了一个新的责任组（TF），名为“EUV Synergy TF”。此举被视为晋升娴雅密半导体制造（举例 3 纳米 (nm) 代工场）良率的致力。EUV Synergy TF 的任务是监督 EUV 斥地科罚，要点是晋升光刻和追踪斥地的坐褥率。该团队的见识是最大死一火地晋升EUV光刻斥地中使用的多样材料和组件的坐褥率，其中包括ASML独家供应的价值200亿好意思元的光刻机和东京电子的EUV轨谈斥地。

三星对 EUV 本事的痛快体目前其对 EUV 光刻机的多数投资。该公司已在其华城和平泽工场购买了 30 多台 EUV 光刻机。EUV 光刻使用 13.5 nm 波长的光将半导体电路印刷到晶圆上，关于坐褥更小、更复杂的半导体电路至关可贵。三星于 2019 年将 EUV 引入其代工工艺，尔后在晋升其 10 纳米级第六代 DRAM 和低于 3 纳米代工场的良率方面面对挑战。

比拟之下，SK海力士则接管了不同的作念法。该公司在本年的组织重组中驱逐了EUV TF，并将其并入改日本事洽商院。此举突显了 SK 海力士对遥远本事特出的宥恕，而不是目下产量的晋升。SK 海力士于 2021 年开动将 EUV 愚弄于其 10 纳米级第四代 DRAM，目前在利川的 M16 工场运营着 10 多台 EUV 机器。

瞻望改日hongkongdoll porn，SK海力士改日本事洽商所臆想将要点准备推出下一代 EUV 光刻斥地，即高数值孔径机器。SK海力士臆想最早将于来岁下半年收到其第一台高NA机器。这一计策飞动突显了 SK 海力士接力于于保合抄本事当先地位并为半导体制造的改日特出作念好准备。

NAND败落时刻，三星和SK海力士逸以待劳降本

三星电子和SK海力士等国内存储器行业在NAND败落时刻践诺“缩小资本”投资策略。据了解，该公司最近开动接力于于大幅减少留传NAND产量，同期将开工率较低的旧要领改革为开端进的要领。

据业内东谈主士近日败露，三星电子和SK海力士条件主要融合伙伴在本年下半年对现存NAND要领进行改革。

近来，由于PC和智高手机等IT需求低迷，NAND市集价钱呈下滑趋势。把柄市集洽商公司Trend Force的数据，用于存储卡和USB的通用NAND闪存产物（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交往价钱为2.16好意思元，环比下落29.80%。

尤其是老款NAND，举例第7代，供应严重多余。除了IT需求下落除外，日本Kiosia、中国厂商等自后者也加入了竞争。

第 7 代（V7）NAND 是存储存储器的单位堆叠成约 170 层的 NAND。NAND 性能跟着堆叠更多单位而晋升。三星电子和SK海力士将从2021年底开动量产第7代NAND。

相应地，国内存储器行业缩小了7代NAND的开工率，并条件融合伙伴进行改革，将闲置的要领用作8代和9代NAND的要领。此外，还决定推迟或减少现存顶端NAND的新要领投资筹画。

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